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GaN金属有机气相外延相关论文
基于图形衬底生长的GaN位错机制分析
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材......
期刊
GaN金属有机气相外延
图形衬底
位错
缺陷选择性腐蚀
GaN
MOCVD
patterned sapphire substrate
dislocat
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