GaSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,是优良的电子和光电子器件衬底材料.可以用于光纤通讯、太阳能电池[1]、......

本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10~(17)cm~......

本文用 H_2O_2系腐蚀剂,对以水平 Bridgman 法生长的、本征和掺 Te 的 GaSb 晶片的低指数面(100)、(110)、(111)(?)样片进行了化学......