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Ge-SiO2键合相关论文
超薄Si过渡层制备绝缘体上Ge(GOI)材料研究
与Si材料相比,Ge材料具有更高的的电子和空穴迁移率,在1.3-1.5 μm通信通信波段具有更高的吸收系数。此外,Ge工艺与现如今成熟的Si......
学位
绝缘体上锗(GOI)
Ge-SiO2键合
超薄Si薄膜
表面亲水性
键合强度
GOI减薄
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