GeSbTe相变材料相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

GeSbTe相变材料相关论文

用于新型相变存储器的锗锑碲薄膜的结构和电学性质

相变存储器由于具有读写速度快、能耗低、非挥发性、数据保持时间长以及与硅加工工艺兼容等特点,被认为是最有可能取代目前的SRAM......

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相变存储器 GeSbTe相变材料非晶态晶态激活能光学带隙异质结电子束蒸发

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