Hf基高介电材料相关硕士博士期刊学术论文

随着超大规模集成电路的发展,MOSFET器件的特征尺寸不断缩小,传统栅介质SiO2薄膜由于它较低的介电常数（～3.9）已经达到了它的物理极限......