HfSiON薄膜相关论文
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的......
为了替代传统的SiO2栅介质，利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD......
在室温下，采用射频磁控溅射法在P型Si（111）衬底上制备了HfSiON高k栅介质薄膜。用X射线光电子能谱（XPS）分析了HfSiON薄膜的成分，用掠入射X......
