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固相反应制备的多晶和外延 CoSi_2/n-Si(111)接触的肖特基特性(英文)
通过硅 (111)衬底淀积的单层 Co或 Co/ Ti双金属层在不同退火温度的固相反应 ,在硅上形成制备了多晶和外延 Co Si2 薄膜 .用电流 -......
期刊
肖特基接触
固相反应
CoSi_2/n-Si
不均匀性
I-V/C-V
势垒高度
退火温度
硅化物
淀积
epitaxial
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