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III-V窄带隙半导体相关论文
Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体纳米线及纳米线异质结的生长与物性研究
III-V族窄带隙半导体纳米线具有禁带宽度小、载流子迁移率高、电子有效质量小等优点,不但能够用于基础物理现象如Majorana费米子探......
学位
III-V窄带隙半导体
纳米线
纳米线异质结
分子束外延
物理性质
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