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InAlAs异变缓冲层相关论文
InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83 Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaA......
期刊
分子束外延
INGAAS
InAlAs异变缓冲层
生长温度
molecular beam epitaxyInGaAsInAlAs metamorphic buf
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