InGaN合金相关论文
本文对InN和InGaN合金材料的MOCVD生长进行表征分析研究，对InN和InGaN合金材料的电学性质、光学性质及辐射性质进行分析研究讨论，对I......
该论文对InGaN合金材料的MOCVD制备、掺杂和光学特性进行了研究.首次提出了高温生长具有高发泖效率的Si和Zn共掺杂InGaN合金的制备......
InGaN合金具有高带边吸收系数、高熔点、高硬度、高热导率与电子迁移率、宽直接带隙、抗辐照等优点，因此在发光、传感、光伏器件等......
对利用In含量为0．3的InGaN／GaN多量子阱制作的InGaN太阳电池的结构和光电性能进行了研究，该太阳电池的InGaN／GaN多量子阱结构在一定程......
分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78......
采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜，并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试，用室温......
伴随着石墨烯的发现,一个新的材料领—二维纳米材料引起了人们广泛关注。量子限域效应和量子尺寸效应的存在使得二维材料在力热光......
