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近年来,Ⅲ族氮化物半导体如GaN、AlN和InN在光电子器件以及高速晶体管领域的潜在应用价值而受到广泛的研究。理论研究表明,InN在所......
利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60-100 nm的范围......
采用气液固机理生长了大批量均匀的InN纳米线,扫描电镜图像显示出这些光滑纳米线的平均直径和长度分别为65nm和15μm。高分辨透射......
