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InNInCl3HCVDorientationXRD相关论文
HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响
实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在......
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InNInCl3HCVDorientationXRD
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