InSb薄膜相关论文
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数......
InSb半导体薄膜被广泛用作超分辨结构(super-resolution structure)中的非线性掩膜层(mask layer)，并且具有很大的发展潜力。但是，在......
本文采用分子束外延（MBE）方法在GaAs（001）衬底上优化低温缓冲层生长条件制备了异质外延InSb薄膜,采用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）与X......
InSb单晶作为III-V族半导体材料中禁带宽度最窄的二元化合物材料,在中红外探测波段有着很重要的应用。同时,随着人们对非晶的研究......
该文论述了用溅射法制备InSb薄膜用于制作高性能的霍尔元件.经过大量的实验,制备出了性能良好的InSb薄膜,其电子迁移率达到预定指......
本文用经验赝势法计算了InSb的电子能带结构和光学声子的频率，理论结果与实验结果很好地符合。采用两步生长法在大失配的GaAs衬底上......
采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用“二步法”制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins......
利用单源真空蒸发方法制备ＩｎＳｂ薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４×１０＾４ｃｍ＾２Ｖ／ｓ，晶粒......
摘要:综述了InSb薄膜的制备方法,氧化和热处理工艺,以及InSb薄膜的发展现状,介绍了InSb薄膜的分析方法和在各类磁阻元件和传感器中......
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用......
介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜......
在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中，用机械磨抛的方法，探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题，从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该......
文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的ＩｎＳｂ薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响，通过实验得出......
【正】磁电转换元件系指薄膜型锑化铟(InSb)霍尔元件,将磁信号直接或间接转换为电信号。锑化铟霍尔元件采用化合物半导体薄膜工艺......
对真空分层蒸镀的InSb薄膜进行了区域溶融热处理，与普通升温热处理相比，薄膜的结晶度和电学性能有较大的提高。应用成膜理论分析了区......
