K-Si掺杂相关硕士博士期刊学术论文

K-Si掺杂钼丝在高真空中2300K下再结晶后，其剩余电阻率远比来掺杂钼丝大，这表明其基体内溶入了相当部分的Si添加剂。1800K下吸收氧，而......