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InAlGaN材料系多量子阱结构电子学特性的研究
宽带隙GaN基半导体材料系的发光波长覆盖了从深紫外到中红外整个光谱,使其具有比目前为止其它半导体材料更大的发展潜力和更广阔的......
学位
KP理论
多量子阱
波函数
能带结构
电子学特性
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