基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施......

随着VLSI工艺的发展,半导体制造技术不断进步,在摩尔定律的推动下,每过三年,芯片上面的晶体管数目翻两番,芯片面积变大1.5倍,器件......