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应变是研究材料物性和结构的重要手段,同时也是调制和改良材料物性的重要方法,本文基于第一性原理计算方法,研究了稀磁半导体(Ga,Mn......
2004年,Ohtomo等人在LaAlO3/SrTiO3(LAO/STO)氧化物界面发现了高迁移率的二维电子气(2DEG),随后人们发现该界面存在许多新奇的物理特性......