本文应用坩埚下降法技术在全密封铂金坩埚条件下生长了不同Pr3+离子掺杂浓度的高质量LiLuF4单晶.测定了单晶体从420 nm至500 nm的......

采用坩埚下降法生长了Tm^3＋掺杂浓度为0．45％，0．90％，1．63％与3．25％（摩尔分数，X）的LiLuF4单晶．测试了样品的电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）、X......

采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.......