MSM紫外探测器相关论文
本文主要采用直流反应磁控溅射的方法,在玻璃、石英及Si衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,通过测量其晶体结构（XRD）、表面形貌（SEM、SPM）、......
采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸......
紫外探测器因其广泛的应用而备受关注,直接宽带隙透明氧化物半导体Ga2O3相较于GaAlN、MgZnO和金刚石等宽禁带半导体而言,具有组分......
第三代半导体材料GaN具有禁带宽度大,抗辐射能力强和耐高温等优越特性,其制备的紫外探测器具有体积小、灵敏度高和适用于极端环境......
采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属（MSM）结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测......
紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的一项军民两用技术,已经在众多领域得到广泛应用和深入研究。在军事领域,紫外探......
采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并......
氮化镓（GaN）基半导体材料是直接宽禁带材料，具有压电和热电性质优异、物理化学性质优良等优点。近年来在紫外探测器，蓝绿光发光二极管，......
氧化镓（Ga2O3）属于直接带隙的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为4.9 eV,具有高的热稳定性和化学稳定性、大的禁带宽度、较强的抗击穿能......
本文主要采用直流反应磁控溅射的方法,在玻璃、石英及Si衬底上制备锐钛矿相TiO2薄膜,通过测量其晶体结构（XRD）、表面形貌（SEM、SPM）、......
