原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明:原位合成MoSi2/SiC界面为直......

采用高温压缩实验研究了不同体积分数SiC含量对原位合成MoSi2-SiC复合材料在1000--1400℃的屈服强度及流变应力的影响.结果表明,与......

用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2-SiC复合材料,对制备过程的影响因素进行了分析.研究结果表明:在渗硅温度为1 450℃时,反应生成......

在建立电场活化烧结(field activated sintering,FAS)过程模型基础上,对FAS工艺制备MoSi2-SiC复合材料的温度场进行了有限元模拟.......

本文研究了原位SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的组织结构和力学性能结果表明:复合材料的组织为t-MoSi2基体上均匀分布β-SiC等轴颗粒......

先以SiC（粒度分别为≤2．5、≤0．062mm）为主要原料，水溶性树脂为结合剂，经混练、成型、烘干后得到SiC坯体，再用MoSi：微粉（d50=3μm）掩埋SiC坯......

本文通过理论分析计算、Mo2C-Si扩散偶实验、MoSi2-SiC复合材料固态置换反应原位制备研究以及MoSi2-SiC复合材料组织性能测试分析，......

用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2_-SiC复合材料,对制备过程的影响因素进行了分析。研究结果表明:在渗硅温度为1450℃时,反应生......

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为。结果表明:复合材料氧化1000h后,均未发生pes......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

为了提高重结晶SiC材料的性能，先以高纯SiC为原料，水溶性树脂为结合剂，经混练、成型、烘干、烧成（真空，2400℃保温2h）后得到重结晶SiC试......

本文采用直接熔渗法制备二硅化钼-碳化硅（MoSi2-SiC）复合材料。以碳化硅（SiC）（粒度为0～2.5 mm、≤240目）为主要原料,水溶性树脂为结合剂,......