N面GaN材料InAlN异质界面相关硕士博士期刊学术论文

相比于其他传统半导体材料，GaN太赫兹器件具有更大的电子有效质量，更高的纵向声子能量，更快的子带间电子散射，更大的负阻区电流峰谷比......