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NH等离子体退火处理相关论文
氮氢等离子体处理对SiC MOS栅氧化层可靠性的影响
SiC材料由于具有禁带宽度较大,临界击穿场强较高以及热导率高等优异的物理性质而被称为第三代半导体材料,有望被广泛应用于高温、......
学位
4H-SiC
MOS电容
NH等离子体表面处理
NH等离子体退火处理
可靠性
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