实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷......