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低温制备pin 非晶硅太阳电池p 型纳米硅窗口层
采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H......
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