P-GaN埋层相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

P-GaN埋层相关论文

AlGaN/GaN HEMT器件高压结构设计与仿真研究

氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子速度、抗腐蚀性强,耐高温等优秀特性,使其成为第三代半导体材料中的佼佼者......

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AlGaN/GaN 电场击穿电压凹槽势垒 P-GaN埋层

AlGaN/GaN HEMT器件耐压新结构模拟研究

随着科学技术的发展,功率半导体器件的发展也日新月异。其中,第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)引起了人们的关注。GaN材料的禁带......

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氮化镓 P-GaN埋层漏极场板技术 Baliga优值

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