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平面型Gunn器件低温SiO2和PSG的淀积
采用“夹层结构”的方法制作平面型Gunn畴雪崩器件的n型GaAs外延材料,以及低温(420℃~450℃)淀积SiO2的原理,工艺条件和可控硅电路。......
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低温淀积
畴雪崩器件
二氧化硅
PSG淀积
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