Piezoelectric nanogenerators(PENGs)that can harvest mechanical energy from ambient environment have broad prospects for ......

Pb(Zr,Ti)O3(PZT)是经典压电材料,自1952年发现以来,广泛应用在超声换能器及传感器等领域。众所周知,压电材料往往在准同型相边界(......

The pyroelectric effect of phase transition induced with temperature in Nb-modified Pb(Zr,Sn,Ti)O3 antiferroelectric-fer......

用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100-180......

在现有 Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构，对其灵敏度和声输......

改性Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电-铁电陶瓷存在着多种晶体结构, 随着温度变化会发生相变而影响材料的性能. 研究了铌改性Pb(Zr,Sn,Ti)O3......

The pyroelectric effect of phase transition induced with temperature in Nb-modified Pb(Zr,Sn,Ti)O3 antiferroelectric-fer......

集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频（RF）磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si制备Pb（Zr，Ti）O3（PZT）薄膜，上下电极Pt采用剥离......

在现有Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的制备工艺基础上，提出并设计了可集成在同一芯片上的基于ＰＺＴ铁电薄膜的压电型微麦克风、扬声器结构，对其灵敏度和声输出......

运用数字锁相技术研究了Pb（Zr, Ti）O3 （PZT）铁电薄膜的介电性能测试技术，随着薄膜微图形化尺寸的缩小，电路寄生参数的影响将逐渐变大并成......

在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中,集成铁电电容的制备是关键工艺之一.文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺:采用lift-off技术......

首先利用脉冲激光沉积技术在（001）取向的SrTiO3基片上外延生长了SrRuO3底电极和PbZr0.20Ti0.80O3（PZT）薄膜,然后利用扫描探针显微镜的......

用改进了的方法合成乙醇锆,能降低对原料的苛刻要求,产品纯度高（99.4％）。以合成的乙醇锆为原料,用溶胶—凝胶（Sol—Gel）法制备Z<sub>r</......

对反铁电-铁电相界附近的Nb掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷,采用2 GPa等静压装置测试了其在不同等静压力下的介电温度性能,分析了各种介电......

以硝酸盐和EDTA(乙二胺四乙酸)为原料,用金属-EDTA螯合物热分解法制备均匀性好的Pb(Zr,Ti)O_3超细粉,经FT-IR光谱,热分析,X射线衍......

应用朗道热力学理论研究了应力对Pb（Zr,Ti）O3陶瓷薄膜的相结构及介电特性的影响。结果表明：应力诱导结构相变,居里温度随应变（压应变或......

分别采用传统热处理（CFA）和快速热处理（RTA）对室温溅射在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基片上的Pb（Zr,Ti）O3（PZT）进行了晶化处理.结果表明：RTA倾向于......

根据在X射线二维衍射几何关系下建立的应力应变方程,提出了一种基于X射线多晶面探衍射仪系统分析射频磁控溅射制备的Pb（Zr,Ti）O3薄膜......

利用RF磁控溅射法制备了Pb（Zr，Ti）O3（PZT）铁电薄膜，利用X射线衍射（XRD）法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明，在......