PbTe本征缺陷共振能级相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

PbTe本征缺陷共振能级相关论文

PbTe/CdTe材料的外延生长及物理特性的研究

PbTe为Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体中的一员,具有直接跃迁和窄禁带等属性,室温带边发光位于中红外区域。与Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体相比,具有......

学位

PbTe CdTe 分子束外延 RHEED PbTe本征缺陷共振能级 CdTe/PbTe(111)异质结声子屏蔽 2DEG 量子振荡

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