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RF溅射I-V曲线相关论文
射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95%左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时......
期刊
纳米硅薄膜
RF溅射I-V曲线
能带模型
Nano - crystalline silicon thin film RF - sputtering I - V
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