SI1-XGEX相关论文
对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
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应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬......
,Segregations and desorptions of Ge atoms in nanocomposite Si1-xGex films during high-temperature an
Nanocomposite Sil-xGex films are deposited by dual-source jet-type inductively coupled plasma chemical vapor deposition ......
Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and Micro-Raman Measurement on Composition Dete
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-x Gex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱......
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数......
Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and Micro-Raman Measurement on Composition Dete
获得 Si_(1-x ) Ge_x 层的作文是重要的，特别，那与高 Ge 满足， Si 上的 epitaxied 底层。二个非破坏性的考试方法，两倍晶体X光检查衍射......
为研究深亚微米尺度下应变SiGe沟改进PMOSFET器件性能的有效性,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了0.18 μm有效沟长SiGe PMO......
介绍光纤激光器的工作原理、分类以及为消除激射过程中的许多不利因素，提高光束质量而采取的技术措施，同时介绍近几年同内外光纤激光......
Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质，高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的......
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱......
利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长．并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理．以SiH4和......
利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长．并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理．以SiH4和......
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1—xGex和Si材料．在此低温下，有效地控制了衬......
晶体是劳厄透镜允许的基本结构。阐述了劳厄透镜原理以及符合条件的晶体范围,对3种不同晶体衍射特性进行对比,包括梯度SiGe、Cu和A......
目前已经有许多学者研究了用UHV／CVD方法生长Si-1xGex薄膜时Ge在表面，次表面的偏聚，一种对这种实验结果的解释是由于化学原因（例如氧化......
本文综述了国外Si/Si_(1-x)Ge_xHBT的发展状况,把出Si_(1-x)Ge_xHBT的特点和优越性,分析了Si_(1-x)Ge_xHBT的制造技术和设备要求,......
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在......
利用Ｓｉ１－ｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性。......
利用Ｓｉ１－ｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性。......
