SOIMOS器件相关论文
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽......
由于SOI技术可显著降低减器件的寄生电容和衬底射频功率损耗，有效的避免短沟道效应并获得更高的跨导，消除衬底带来的串扰和闩锁效应，......
提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位及其对其他器......
本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进......
