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Si基Ge量子阱相关论文
HfO2/Ge界面钝化技术及Si基Ge量子阱MOSFET的研究
Si CMOS尺寸缩小的难度和成本日益增加,高迁移率的Ge沟道MOSFET的研究得到了迅速发展,Ge沟道高k介质MOSFET成为下一代CMOS技术可能......
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HfO2/Ge界面钝化技术
Si基Ge量子阱
MOSFET晶体管
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