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Si帽层相关论文
应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究
为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关......
期刊
PMOSFET
空穴局域化
Δ掺杂
栅氧化层
Si帽层
SiGe层
缓冲层
Si 1-x Gex PMOSFET
hole confinement
simu
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