SiC粉源相关论文
本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了......
采用有限元分析法，系统地研究了用PVT法制备大尺寸SiC晶体生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对晶体生长温度场的影响；获取了......
采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度......
研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响．分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同，并结合实验研究了生长......
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