SiC肖特基二极管相关论文
随着电力电子技术的快速发展，逆变器已被广泛地应用在工业、民用等各个领域。如何进一步地提高逆变器性能成为了逆变技术研究领域的......
介绍了SiCJFETSJEPl20R063的工作特性，由于该器件正向损耗低，可有助于提高大功率逆变电路的开关频率和工作效率。设计了采用SJEPl20R......
本文介绍了下一代碳化硅（SIC）平面MOSFET、沟槽结构肖特基二极管和沟槽MOSFET器件。首先，开发了SiC平面MOSFET，可以抑制在正向电流通过......
随着第三代宽禁带碳化硅半导体器件的深入研究和逐渐市场化,碳化硅(SiC) MOSFET的优异性能也越来越受到人们的关注。为在PSpice仿......
有源功率因数校正（Active Power Factor Correction,简称APFC）是大功率电源应用的一项关键技术。分析了Boost PFC电路中半导体器件的......
SiC肖特基二极管是一种大电流、高反压的宽带隙半导体器件。其整流电流可以高达几千安培,其正向导通电压非常小约为0.4V,然而其反......
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功率半导体器件是电力电子变流器的核心部件,本文分析了功率半导体模块封装设计和电路参数对模块寄生电感、散热性能和开关特性的......
与传统的功率半导体器件材料硅和砷化镓相比,碳化硅(SiC)材料具有更强的抗化学腐蚀性,更高的硬度,更大的禁带宽度,更快的饱和速度,......
宽禁带半导体材料SiC因其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、反向恢复特性好等优异特性,成为继Si、GaAs之后的新一代半导体材料。......
