针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。......

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。......

本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实现发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂......

在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度......

研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤，发现在中栅压应力（Vg≈Vd/2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表面出单一的幂律......

报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生......