实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700℃及730~900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的......

实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统在依次经历700℃及730～900℃两步退火后的方块电阻。对比结果表明，Ti的锗硅化物与Ti的硅......