U形多晶硅栅金属氧化物半导体相关硕士博士期刊学术论文

采用0．35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件，芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联，以获得高的击穿电压和大的工作电流．研究发现，沟槽深......