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研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar +He气氛下对粒度为 1 0～ 1 5 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化。......
研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置.在Ar+He气氛下对粒度为10～150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化,球化率达90%.......
研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置,因Ar+He气氛下对粒度为10－150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化，球化率达90％。......
研制了直流电弧等离子体球化Ｕ３Ｓｉ２粉体装置。在Ａｒ＋Ｈｅ气氛下对粒度为１０￣１５０μｍ范围内不规则形状的Ｕ３Ｓｉ２粉体进行了球化。球化率达９０％。......
