VARISTOR相关论文
Effects of Y2O3 addition on the microstructure and electrical properties of the SnO2-based varistor system were investig......
Microstructure and electrical properties of La2O3-doped ZnO-based varistor thin films by sol-gel pro
Microstructure and electrical properties of La2O3-doped ZnO-Bi2O3 thin films prepared by sol-gel process have been inves......
Effects of cooling rate on the microstructure and electrical properties of Dy2O3-doped ZnO-based var
The microstmcture,electrical properties,and density of Dy2O3-doped ZnO-based varistor ceramics,prepared using high-energ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Microstructure and electrical properties of Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics prepared by high-
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备ZnO电压敏陶瓷粉体. 探讨其制备的最佳工艺条件：以Zn(NO3)2与NaOH为反应前驱物制取胶体, Zn2+浓度......
Microstructure and electrical properties of Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics prepared by high-
Y2O3-doped ZnO-based varistor ceramics were prepared using high-energy ball milling (HEBM) and low-temperature sintering......
Effects of Rare-Earth La2O3 Addition on Microstructures and Electrical Properties of SrTiO3 Varistor
The effects of rare-earth La2O3 addition on microstructures and electrical properties of SrTiO3 ceramics were investigat......
Microstructure and Electrical Properties of Er2O3-Doped ZnO-Based Varistor Ceramics Prepared by High
The microstructure, electrical properties and density of ZnO-based varistor ceramics with different Er2O3 content prepar......
Comparative characteristics of yttrium oxide and yttrium nitric acid doping in ZnO varistor ceramics
The effect of different molar ratios of Y2O3 and Y(NO3)3 on the microstructure and electrical response of ZnO-Bi2O3-base......
Microstructure and electrical properties of La2O3-doped ZnO-based varistor thin films by sol-gel pro
Microstructure and electrical properties of La2O3-doped ZnO-Bi2O3 thin films prepared by sol-gel process have been inves......
采用高能球磨掺杂氧化物粉体和压敏陶瓷粉体2种不同制备技术制备ZnO-Bi2O3压敏陶瓷,通过扫描电镜和X-射线衍射对其显微组织和相成......
Spherical Bi2O3 powder prepared by plasma chemical vapor reaction and aqueous chemical precipitation is studied. The sup......
Effects of cooling rate on the microstructure and electrical properties of Dy2O3-doped ZnO-based var
The microstmcture,electrical properties,and density of Dy2O3-doped ZnO-based varistor ceramics,prepared using high-energ......
依据2015年9月特高压锦屏换流站因雷击造成双极闭锁故障的事故,结合极控故障录波及极保护动作情况,理论分析故障原因,提出在特高压......
采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品，并通过XRD和SEM分析，以及Ⅰ-Ⅴ矿曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研......
通过理论分析和实验经验总结，讨论了微观结构、掺杂及烧结工艺对TiO2压敏电阻器电性能的影响，调整和改进这些影响因素可以达到优化电......
研究了Ｃｏ２Ｏ３的含量对ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５系列压敏电阻性能的影响。实验发现，在温度为１３５０℃下烧成的９９．２％ＳｎＯ２＋０．７５％Ｃｏ２Ｏ３＋０．０５％Ｔａ２ｏ５材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５压敏电阻产......
制作低压ZnO压敏电阻的一般方法是掺入TiO2作为晶粒助长剂. TiO2的加入可降低压敏电压和非线性系数, 增加漏流, 这是由于晶粒发育......
叙述了ZnO压敏电阻器的结构和性能,分析了它的导电机理。并依据此理论进行了工艺实验,研制出了彩电用压敏电阻器。其压敏电压、漏......
以氧化锌半导体陶瓷的微观模型为基础,分析影响氧化锌压敏电阻器固有电容量的各种因素,重点分析如何控制氧化锌压敏电阻器固有电容......
氧化锌压敏电阻器漏电流宏观上与电压、温度有关,实质在于电阻体的微观结构。显微观察和X射线衍射分析表明,晶粒大小分布均匀,富铋......
采用无机可溶性盐类为原料,通过相对简单的化学共沉淀方法,制备了ZnO压敏电阻材料.与传统的制备方法相比,化学方法得到的压敏电阻......
以四足状纳米ZnO粉末为原料,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结,制备出了ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻,并......
采用高能球磨掺杂氧化物粉体和压敏陶瓷粉体2种不同制备技术制备ZnO-Bi2O3压敏陶瓷,通过扫描电镜和X-射线衍射对其显微组织和相成......
发现具有相变的Ｂｉ２Ｏ３系和不具有相变的Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷能从４００℃附近起产生热释电电流，这是在高温热过程中ＺｎＯ压敏陶瓷内有电荷迁移的直接证据，研究了......
对ＳｉＯ２掺杂的ＳｎＯ２．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻非线性电学性质进行了研究，并对其微观结构进行了电镜扫描，且对其晶界势垒高度进行了测量，实验表明ｘ（ＳｉＯ２）＝０．３％掺杂的ＳｎＯ．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻的......
研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用.发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而......
研究了TiO2掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基匝敏陶瓷非线性特性的影响。利用X射线衍射（XRD）与扫描电镜对相组成和微结构的分......
<正> ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价......
研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电压性能的影响，实验表明加入Ｇ３玻璃制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性，还研究了ＺｎＯ－玻......
本文主要讨论ＳｉＯ＿２对ＴｉＯ＿２系压敏陶瓷电性能的影响，并从理论上作了深入分析。......
Nanosized ZnO powders were prepared with a two-step precipitation method. The average size of ZnO particles was about 80......
近几十年来，国内外有关ZnO压敏电阻器低压化的研究报道很多。本文对低压化的方法作了较为系统的归类及评述。并对其发展趋势作了初......
金属氧化物避雷器的关键部件为氧化锌电阻片.由于氧化锌电阻片易与空气中的潮气反应,使其残压值下降,导致避雷器保护性能变差.籍此......
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1m,......
从晶本结构和微观组织入手，分析并讨论了掺Ｎｂ２Ｏ５量对３７．５ＰｂＯ３－２５ＰｂＺｒＯ３－３７．５ＰｂＴｉＯ３材料的介电，压电性能的影响行为和影响机制。实验结果表明，当Ｎｂ２Ｏ５的添加量＝１％时，材料有最好的压......
SrTiO_3基陶瓷变阻器是一种新型的多功能元件.它具有电容器和变阻器双重功能.这种变阻器采用传统的陶瓷工艺制造.其中关键的工艺是......
对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明，本系列材料具有优异的介电性能，室温介电常数为１４０￣６００，也具有较好的压敏性，其非线性......
依照缺陷势垒模型，将压敏电阻器视为双向导通的二极管，应用半导体理论对低电压情况下的电流－电压关系数据进行了处理，得到了ＳｎＯ２－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５压敏材料的......
论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法,讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性.实验结果证......
讨论了无铋氧化锌压敏电阻压敏特性的根本原因。由于离子置换使得Ｚｎ２＋成为填隙离子，从而在氧化锌晶粒间引起肖特基势垒。对于氧化锌压敏......
在制备ZnO压敏电阻的原料中加入纳米级ZnO粉料,研究了纳米级粉料对ZrO压敏电阻的压敏电位梯度的影响,并对其微观组织进行了分析研......
用电子陶瓷工艺制备了(La,Sr)掺杂的TiO2压敏-电容双功能元件,其压敏电压(V1mA)为8～38 V·mm-1,非线性系数为3～5.5,介电常数可达......
通过传统工艺制备出Ba-BSi玻璃相掺杂的Zn-V-Sb基压敏电阻材料，研究了其微观结构及性能。结果表明，Ba-BSi玻璃相的掺杂能降低Zn-V-Sb......
研究了掺杂不同V2O5对ZnO陶瓷压敏特性的影响。实验表明，ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高，非线性系数随元素v掺杂量增加而先......
文章阐述了常用电涌保护器件（气体放电管、压敏电阻、瞬态抑制二极管等）的特性和应用,通过对各电涌保护器件伏安特性的分析,了解了各......
本文研究了用一次烧成法制备的Ｍｎ＾２＋和Ｃｕ＾＋为受主掺杂的ＳｒＴｉＯ３低压压敏电阻，在浪涌电流冲击后，其压敏和介电特性的变化规律及影响因此。证Ｃｕ＾＋掺杂的试样......
探讨了氧化锌压敏陶瓷电阻片的电容在冲击破坏方面的作用,提出了两种冲击状态下的导通形式,说明了氧化锌压敏陶瓷电阻片的电容对冲......
