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适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究
论述了深亚微米MOS器件模型BSIM2。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面,以物理概念为基础进行了较详细分析,并与国内1μm工艺的nMOS测量......
期刊
VLSI/ULSI
深亚微米
器件模型
BSIM2
MOS器件
输出电阻
器件物理
强反型
沟道长度
过渡区
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