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WTiN金属栅相关论文

高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文)

在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的......

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W/Ti N 栅介质等效氧化层厚度栅电极氮氧叠层栅介质 W/Ti N金属栅非CMP平坦化叠层栅长沟道效应

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