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WS_2薄膜相关论文
硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响
采用熔融盐辅助化学气相沉积(CVD)法在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上制备WS_2薄膜,改变硫粉的气化温度(750~800℃),探寻其对WS_2薄膜生长......
期刊
WS_2薄膜
表面形貌
熔融盐
化学气相沉积
气化温度
WS2 thin film
surface topography
molten salt
ch
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