本文采用射频磁控溅射法，以ZnO和Eu2O3混合物作为溅射靶材，Ar气为工作气体，O_2气为反应气体，在硅（Si）衬底和蓝宝石（Al_2O_3）衬底上制备ZnO:......

ZnO是一种具有宽带隙(3.37eV)、高激子束缚能(60meV)的N型直接带隙半导体材料。由于具有多种优异特性，使其在薄膜电致激发器件、阴......