Nitrogen-doped nanocrystalline diamond films(N-NDFs)have been deposited on p-type silicon(Si)by microwave plasma chemica......

采用简单的煅烧法制备了N缺陷g-C3Nx与BiVO4的异质结复合催化剂BVO/CNx.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X射......

重点介绍Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性，特别是ＣｄＳ和ＣｄＳｅ。利用密封空间汽化传输技术制作的ＣｄＳ薄膜具有低的电阻（３００Ｋ时，σ为０．８８～１．３４Ω＾－１·ｃｍ＾－１）、高的载流子迁......

采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进......

介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池......