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n^+浮空层相关论文
具有n^+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析
针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n^+浮空层的REBULF......
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击穿电压
LDMOS bulk electrie field n^+-floating layer breakdown vol
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