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nc-poly-Si(B)薄膜相关论文

掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性

采用低压化学气相沉积（LPCVD）工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼（B）掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶......

期刊

LPCVD nc-poly-Si(B)薄膜结构特征热退火电学性质 LPCVD nc-poly-Si （ B ） films structural char

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