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n~+-n结相关论文
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压......
期刊
N~+-N结
P~+-P结
PN结
单粒子瞬态
PMOS
NMOS
脉冲宽度
二维材料MoSe2及In2Se3/MoSe2异质结的可控制备与表征
近年来,二维层状半导体材料,包括过渡金属族硫属元素化物(TMDs)(MX2,其中M为过渡金属如Mo或W,X为S,Se或Te)和Ⅲ-Ⅵ族层状化合物(MX......
学位
二维半导体
硒化钼
化学气相沉积法
范德华尔斯异质结
n~+-n结
过渡金属硫族化物
Ⅲ-Ⅵ族化合物
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