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p—i—n紫外光电探测器相关论文

4H—SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

利用光电流谱法研究了300K到60K温度范围内的P—i—n结构4H—SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的......

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光电子学 4H—SiC p—i—n紫外光电探测器温度特性光电特性 optoelectronics 4H-SiC p-i-n UV photodetect

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