作为一宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，ZnO薄膜材料的研究受到广泛的重视。ZnO薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电......

p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注。采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO:Ag薄膜,生长温......

以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源，采用溶胶-凝胶法在Si（100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜，掺杂浓度分别为0，0．018，0．036，0．045，0．063和0．09mol／L。......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......